型号: PHC21025
功能描述: Complementary enhancement mode MOS transistors
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
典型栅极电荷@Vgs: 10 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 250 pF V @ 20
安装类型: 表面贴装
宽度: 4mm
封装类型: SO
尺寸: 5 x 4 x 1.45mm
引脚数目: 8
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: 20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.1（N 通道）Ω，0.25（P 通道）Ω
最大连续漏极电流: 2.3（P 通道）A，3.5（N 通道）A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N，P
配置: 双、双漏极
长度: 5mm
高度: 1.45mm
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：王峻
电话：13590187433
Q Q:
联系人：郝磊
电话：18630278774
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
