型号: PHC21025
功能描述: Complementary enhancement mode MOS transistors
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
典型栅极电荷@Vgs: 10 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds: 250 pF V @ 20
安装类型: 表面贴装
宽度: 4mm
封装类型: SO
尺寸: 5 x 4 x 1.45mm
引脚数目: 8
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 2000 mW
最大栅源电压: 20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.1（N 通道）Ω，0.25（P 通道）Ω
最大连续漏极电流: 2.3（P 通道）A，3.5（N 通道）A
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 2
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N，P
配置: 双、双漏极
长度: 5mm
高度: 1.45mm
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