型号: PHD101NQ03LT
功能描述:
制造商:
典型关断延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
典型栅极电荷@Vgs: 23 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds: 2180 pF V @ 25
安装类型: 表面贴装
宽度: 6.22mm
封装类型: DPAK
尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.38mm
引脚数目: 3
最低工作温度: -55 °C
最大功率耗散: 166000 mW
最大栅源电压: 20 V
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 0.006
最大连续漏极电流: 75 A
最高工作温度: +175 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 功率 MOSFET
通道模式: 增强
通道类型: N
配置: 单
长度: 6.73mm
高度: 2.38mm
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Q Q:
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