型号: PHD18NQ10T
功能描述: MOSFET
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 79 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 12 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 36 ns
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
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