型号: PHE13005X/01,127
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Silicon diffused pwr transistor
制造商: WeEn Semiconductors
制造商: WeEn Semiconductors
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
集电极—基极电压 VCBO: 700 V
集电极—射极饱和电压: 0.3 V
最大直流电集电极电流: 4 A
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 40
商标: WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 10
Pd-功率耗散: 26 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
零件号别名: 934066084127
单位重量: 2 g
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