型号:  PHK12NQ10T.518

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 100V 11.6A 8-Pin SO T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  11.6A

Rds（最大）@ ID，VGS：  28 mOhm @ 6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  35nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1965pF @ 25V

功率 - 最大：  8.9W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：  8-SO

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  8SO

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  100 V

最大连续漏极电流：  11.6 A

RDS -于：  28@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  23 ns

典型上升时间：  21 ns

典型关闭延迟时间：  52 ns

典型下降时间：  11 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  4(Max)

PCB：  8

最大功率耗散：  8900

最大漏源电压：  100

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  28@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SO

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  5(Max)

引脚数：  8

包装高度：  1.45(Max)

最大连续漏极电流：  11.6

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  11.6A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  100V

供应商设备封装：  8-SO

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  28 mOhm @ 6A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  8.9W

封装/外壳：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1965pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  35nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

类别：  Power MOSFET

配置：  Quad Drain, Single, Triple Source

外形尺寸：  5 x 4 x 1.45mm

身高：  1.45mm

长度：  5mm

最大漏源电阻：  0.028 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  8.9 W

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  SO

典型栅极电荷@ VGS：  35 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  1965 pF V @ 25

宽度：  4mm

连续漏极电流：  11.6 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  8.9 W

漏源导通电阻：  0.028 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  100 V