型号: PHM18NQ15T,518
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 19A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 75 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 26.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1150pF @ 25V
功率 - 最大值: 62.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 8-HVSON(6x5)
其它名称: 934057306518PHM18NQ15T /T3PHM18NQ15T /T3-ND
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