型号: PHN210T,118
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： -
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 2.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 250pF @ 20V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： 8-SO
其它名称： 568-11062-2934055451118PHN210T /T3PHN210T /T3-NDPHN210T,118-ND
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈琪
电话：15815278706
Q Q:
联系人：赵先生
电话：88309813
Q Q:
联系人：李先生，朱小姐
电话：18923764396
Q Q:
