型号:  PHP54N06T.127

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 55V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  55V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  54A

Rds（最大）@ ID，VGS：  20 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  36nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1592pF @ 25V

功率 - 最大：  118W

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-220-3

供应商器件封装：  TO-220AB

包装材料 ：  Tube

包装：  3TO-220AB

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  55 V

最大连续漏极电流：  54 A

RDS -于：  20@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  15 ns

典型上升时间：  74 ns

典型关闭延迟时间：  70 ns

典型下降时间：  40 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Through Hole

标准包装：  Rail / Tube

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  175

标准包装名称：  TO-220

最低工作温度：  -55

渠道类型：  N

封装：  Tube

最大漏源电阻：  20@10V

最大漏源电压：  55

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  TO-220AB

最大功率耗散：  118000

最大连续漏极电流：  54

引脚数：  3

铅形状：  Through Hole

FET特点：  Standard

安装类型：  Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  54A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  55V

供应商设备封装：  TO-220AB

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  20 mOhm @ 25A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  118W

封装/外壳：  TO-220-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1592pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  36nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

连续漏极电流：  54 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  118 W

漏源导通电阻：  0.02 ohm

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  TO-220AB

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military