型号: PHT11N06LT,135
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 5A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 17nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1400pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SC-73
其它名称： 934054590135PHT11N06LT /T3PHT11N06LT /T3-ND
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈
电话：13699757597
Q Q:
联系人：刘彦成
电话：13720726368
Q Q:
联系人：余
电话：89752675
Q Q:
