型号: PHT4NQ10LT-135
功能描述: MOSFET TAPE13 PWR-MOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.9 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Dual Drain
下降时间: 21 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 4000
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
� b28 �件号别名: /T3 PHT4NQ10LT
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