型号: PHT6N06T,135
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 150 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 175pF @ 25V
功率 - 最大值： 8.3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SC-73
其它名称： 568-7368-2934054620135PHT6N06T /T3PHT6N06T /T3-NDPHT6N06T,135-ND
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