型号: PHU108NQ03LT
功能描述: MOSFET TRENCH<=30
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 187 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: IPAK-3
封装: Rail
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 38 ns
工厂包装数量: 75
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
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