型号: PJE138K_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：350mA 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 100mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：223mW 类型：N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 350mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.5Ω @ 100mA,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 223mW
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
联系人：肖海坚
电话：13267795073
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
