型号: PJQ1900_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.2A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 3Ω @ 20mA,1.2V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 900mW
类型: N沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：陈先生
电话：18922854955
Q Q:
联系人：王先生
电话：13723777571
Q Q:
联系人：赖女士
电话：13416384212
Q Q:
