型号: PJQ1900_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：3Ω @ 20mA,1.2V 最大功率耗散（Ta=25°C）：900mW 类型：N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.2A
栅源极阈值电压: 900mV @ 250uA
漏源导通电阻: 3Ω @ 20mA,1.2V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 900mW
类型: N沟道
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