型号: PJT138K_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：360mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.6Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：236mW 类型：双N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 360mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.6Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 236mW
类型: 双N沟道
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