型号: PJT7600_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A,700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 300mA,1.8V;600mΩ @ 500mA,1.8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道和P沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A,700mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 400mΩ @ 300mA,1.8V;600mΩ @ 500mA,1.8V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 350mW
类型: N沟道和P沟道
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