型号: PJV1702_R1_00001
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：650mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 650mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道
制造商: PANJIT(强茂)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 650mA
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 380mΩ @ 650mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 150mW
类型: N沟道
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：陈冬锋
电话：13641144498
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
联系人：sals
电话：755-82317766
Q Q:
