型号: PMBF170,235
功能描述: MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 100 mS
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
单位重量: 8 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨先生
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