型号:  PMBFJ174,215

功能描述:  PMBFJ174 Series 30 V 20 mA P-Channel Silicon Field-Effect Transistor - SOT-23-3

制造商:  NXP Semiconductors

FET类型：  P 沟道

漏源电压（Vdss）：  30V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：  20mA @ 15V

不同Id时的电压-截止（VGS关）：  5V @ 10nA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  8pF @ 10V（VGS）

电阻-RDS（开）：  85 欧姆

Power-Max：  300mW

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23（TO-236AB）

FET 类型：  P 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：  30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：  20mA @ 15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：  5V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  8pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：  85 Ohms

功率 - 最大值：  300mW

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  SOT-23（TO-236AB）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs