型号: PMBFJ620,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET类型： 2 个 N 沟道（双）
漏源电压（Vdss）： 25V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）： 24mA @ 10V
不同Id时的电压-截止（VGS关）： 2V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5pF @ 10V
电阻-RDS（开）： 50 欧姆
功率-最大值： 190mW
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 25V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 24mA @ 10V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 2V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5pF @ 10V
电阻 - RDS（开）： 50 Ohms
功率 - 最大值： 190mW
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： 6-TSSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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