型号:  PMBT5551

功能描述:   Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 3-Pin TO-236AB

制造商:  NXP Semiconductors

集电极电流（DC ）：  0.3 A

集电极 - 基极电压：  180 V

集电极 - 发射极电压：  160 V

发射极 - 基极电压：  6 V

频率：  300 MHz

功率耗散：  0.25 W

安装：  Surface Mount

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

元件数：  1

直流电流增益：  80

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :160V

功耗：  :250mW

DC Collector Current：  :300mA

DC Current Gain hFE：  :80

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

封装：  :Cut Tape

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412100