型号:  PMBTA06

功能描述:   Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  NXP

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.5 A

集电极 - 基极电压：  80 V

集电极 - 发射极电压：  80 V

发射极 - 基极电压：  4 V

频率（最大）：  100 MHz

功率耗散：  0.25 W

安装：  Surface Mount

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB

引脚数：  3

元件数：  1

直流电流增益（最小值）：  100

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  NPN

频率：  100 MHz

集电极电流（DC ）：  0.5 A

直流电流增益：  100

Collector Emitter Voltage V(br)ceo：  :80V

功耗：  :250mW

DC Collector Current：  :500mA

DC Current Gain hFE：  :100

Operating Temperature Min：  :-65°C

Operating Temperature Max：  :150°C

Transistor Case Style：  :SOT-23

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

SVHC：  :No SVHC (20-Jun-2013)

Collector Emitter Voltage Vces：  :250mV

Current Ic @ Vce Sat：  :100mA

Current Ic Continuous a Max：  :500mA

Current Ic hFE：  :10mA

Gain Bandwidth ft Typ：  :100MHz

Hfe Min：  :100

工作温度范围：  :-65°C to +150°C

封装：  :Cut Tape

Peak Current Icm：  :1A

Power Dissipation Ptot Max：  :250mW

SMD Marking：  :1G

端接类型：  :SMD

Weight (kg)：  0.000008

Tariff No.：  85412100