型号: PMCM6501VNEZ
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 920pF @ 6V
功率耗散(最大值): 556mW(Ta), 12.5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 18 毫欧 @ 3A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 6-WLCSP(1.48x.98)
封装/外壳: 6-XFBGA,WLCSP
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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