型号:  PMD10K100

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-3-2

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  100 V

集电极—基极电压 VCBO:  100 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  2 V

最大直流电集电极电流:  20 A

增益带宽产品fT:  4 MHz

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 200 C

系列:  PMD10K100

直流电流增益 hFE 最大值:  20000

封装:  Tube

商标:  Central Semiconductor

集电极连续电流:  12 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  1000

Pd-功率耗散:  150 W

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  20

子类别:  Transistors

零件号别名:  PBFREE PMD10K100