型号: PMD12K100
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 8.0A 100Vcev 100Vceo 2.0V 100W
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3-2
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
最大直流电集电极电流: 8 A
增益带宽产品fT: 4 MHz
最大工作温度: + 150 C
直流电流增益 hFE 最大值: 20000
封装: Tray
商标: Central Semiconductor
集电极连续电流: 8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
Pd-功率耗散: 100 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 20
子类别: Transistors
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