型号: PMDPB80XP,115
功能描述: MOSFET 20V, Dual P-Channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-2020-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 5.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.25 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 2 P-Channel
商标: Nexperia
下降时间: 50 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
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