型号:  PMDT290UCE,115

功能描述:  MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-666-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  800 mA

Rds On-漏源导通电阻:  290 mOhms, 670 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  450 pC, 760 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  330 mW

配置:  Dual

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Nexperia

正向跨导 - 最小值:  1.6 S

下降时间:  31 ns, 72 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns, 30 ns

工厂包装数量:  4000

子类别:  MOSFETs