型号: PMDXB950UPEZ
功能描述: MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-1010B-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 500 mA
Rds On-漏源导通电阻: 5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 1.19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 380 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 2 P-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 480 mS
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 2.3 ns
单位重量: 1.200 mg
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