型号: PMFPB6532UP,115
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 380pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）： 520mW（Ta），8.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 70 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： DFN2020-6
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李华南
电话：13725887773
Q Q:
联系人：李建伟
电话：15336747668
Q Q:
联系人：陈崇欣
电话：13632608345
Q Q:
