型号: PMG370XN,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 960mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 440 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.65nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 37pF @ 25V
功率 - 最大值： 690mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： 6-TSSOP
其它名称： 934058291115PMG370XN T/RPMG370XN T/R-ND
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王黎鹰
电话：18611729779
Q Q:
联系人：蓝维雪
Q Q:
联系人：郑建阳
电话：19926440755
Q Q:
