型号: PMG85XP,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2A（Tj）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 115 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 7.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 560pF @ 10V
功率 - 最大值： 375mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： 6-TSSOP
其它名称： 568-10791-2934064765115PMG85XP,115-NDPMG85XP115
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：曹宏树
电话：18576774117
Q Q:
联系人：郭丹
电话：13925221367
Q Q:
联系人：吴先生
电话：13620950301
Q Q:
