型号:  PMGD8000LN.115

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 0.125A 6-Pin TSSOP T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  2 N-Channel (Dual)

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  125mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  8 Ohm @ 10mA, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.5V @ 100µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  350pC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  18.5pF @ 5V

功率 - 最大：  200mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装：  6-TSSOP

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  6TSSOP

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  0.125 A

RDS -于：  8000@4V mOhm

最大门源电压：  ±15 V

典型导通延迟时间：  10 ns

典型上升时间：  7 ns

典型关闭延迟时间：  15 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  ±15

包装宽度：  1.35(Max)

PCB：  6

最大功率耗散：  200

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  8000@4V

每个芯片的元件数：  2

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TSSOP

标准包装名称：  TSSOP

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  2.2(Max)

引脚数：  6

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  0.125

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  125mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.5V @ 100µA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  6-TSSOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  8 Ohm @ 10mA, 4V

FET型：  2 N-Channel (Dual)

功率 - 最大：  200mW

输入电容（Ciss ） @ VDS：  18.5pF @ 5V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  0.35nC @ 4.5V

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-2370-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Dual

外形尺寸：  2.2 x 1.35 x 1mm

身高：  1mm

长度：  2.2mm

最大漏源电阻：  8 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.2 W

最低工作温度：  -55 °C

包装类型：  SOT-363, UMT

典型栅极电荷@ VGS：  0.35 nC V @ 4.5

典型输入电容@ VDS：  18.5 pF V @ 5

宽度：  1.35mm

工厂包装数量：  3000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 15 V

连续漏极电流：  0.125 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  8000 mOhms at 4 V

功率耗散：  200 mW

封装/外壳：  SOT-363

零件号别名：  PMGD8000LN T/R

上升时间：  7 ns

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

下降时间：  7 ns

Continuous Drain Current Id：  :125mA

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :1.8ohm