型号: PMK35EP,518
功能描述:
制造商: Nexperia
系列： TrenchMOS™
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 14.9A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 42nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2100pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±25V
功率耗散（最大值）： 6.9W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 19 毫欧 @ 9.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装形式Package： SO
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 14.9A
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
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