型号: PMK50XP,518
功能描述:
制造商: Nexperia
系列: TrenchMOS™
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 7.9A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1020pF @ 20V
Vgs(最大值): ±12V
功率耗散(最大值): 5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 50 毫欧 @ 2.8A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装形式Package: SO
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 7.9A
无铅情况/RoHs: 否
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