型号: PMN23UN,165
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 10.6nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 4.5V
Vgs（最大值）： ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 740pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 10V
功率耗散（最大值）： 1.75W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 28 毫欧 @ 2A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-TSOP
封装/外壳： SC-74，SOT-457
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13670205476
Q Q:
联系人：黄先生
电话：18922852427
Q Q:
联系人：赵刚
电话：13572203776
Q Q:
