型号: PMN28UN,165
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.7A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 34 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 700mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 10.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 740pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.75W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
供应商器件封装： 6-TSOP
其它名称： 934057329165PMN28UN /T2PMN28UN /T2-ND
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