型号: PMN40ENEX
功能描述:
制造商: Nexperia
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5.7A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 294pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 530mW（Ta）, 4.46W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 38 毫欧 @ 4.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74，SOT-457
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈敏
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Q Q:
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Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
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Q Q:
