型号: PMN40ENEX
功能描述:
制造商: Nexperia
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 5.7A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 11nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 294pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 530mW(Ta), 4.46W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 38 毫欧 @ 4.5A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 30V
无铅情况/RoHs: 否
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