型号: PMN50UPE,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3.6A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 66 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 15.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 24pF @ 10V
功率 - 最大值: 510mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: 6-TSOP
其它名称: 568-10804-2934067141115PMN50UPE,115-ND
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