型号: PMPB12UN,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
特色产品： NXP - RDS(on) MOSFETs in Ultra-Small Packages
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.9A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 18 毫欧 @ 7.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 886pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 6-DFN2020MD（2x2）
其它名称： 568-10451-2934066861115PMPB12UN,115-ND
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