型号: PMPB20EN,115
功能描述: MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-2020MD-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 10.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 8 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 7.200 mg
联系人：肖瑶，树平
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Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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