PMPB215ENEAX规格参数_PMPB215ENEAX全国代理商/分销商

型号: PMPB215ENEAX
功能描述: PMPB215ENEA Series 80 V 1.9 A 230 mOhm N-Channel Trench MOSFET - DFN2020MD-6
制造商: Nexperia
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.9A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 7.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 215pF @ 40V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta），15.6W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 230 毫欧 @ 1.9A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
封装形式Package： DFN-MD
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 80V
连续漏极电流ID： 1.9A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs