型号: PMPB95ENEA/FX
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14.9nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 504pF @ 40V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 105 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-DFN2020MD（2x2）
封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：徐顺英
电话：18038323671
Q Q:
联系人：林先生
Q Q:
联系人：冷春林
电话：18898735043
Q Q:
