型号: PMR780SN,115
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 550mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 920 毫欧 @ 300mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 1.05nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 23pF @ 30V
功率 - 最大值： 530mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-75，SOT-416
供应商器件封装： SC-75
其它名称： 934057961115PMR780SN T/RPMR780SN T/R-ND
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