型号: PMT21EN,135
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 4,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 7.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 21 毫欧 @ 7.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 14.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 588pF @ 15V
功率 - 最大值： 820mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： SC-73
其它名称： 568-10827-2934066002135PMT21EN,135-NDPMT21EN135
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