型号: PMV117EN,215
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 117 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 147pF @ 10V
功率 - 最大值： 830mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
其它名称： 568-8111-2934057733215PMV117EN T/RPMV117EN T/R-NDPMV117EN,215-ND
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