型号: PMV35EPE
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：480mW 类型：P沟道
制造商: Nexperia(安世)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 5.3A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 45mΩ @ 4.2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 480mW
类型: P沟道
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