型号:  PMV48XP.215

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  55 mOhm @ 2.4A, 4.5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1.25V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  11nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1000pF @ 10V

功率 - 最大：  510mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  3.5 A

RDS -于：  55@4.5V mOhm

最大门源电压：  12 V

典型导通延迟时间：  11 ns

典型上升时间：  13 ns

典型关闭延迟时间：  61 ns

典型下降时间：  23 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  12

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  930

最大漏源电压：  20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  55@4.5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  3.5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1.25V @ 250µA

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  55 mOhm @ 2.4A, 4.5V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  510mW

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1000pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  11nC @ 4.5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-7579-1

工厂包装数量：  3000

晶体管极性：  P-Channel

连续漏极电流：  - 3.5 A

正向跨导 - 闵：  12 S

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  55 mOhms

功率耗散：  510 mW

漏源击穿电压：  - 20 V