型号: PMV60EN,215
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: TrenchMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4.7A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 55 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 9.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 350pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23(TO-236AB)
其它名称: 568-2357-2934057520215PMV60EN T/RPMV60EN T/R-ND
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