型号: PMV65XP/MIR
功能描述: MOSFET P-CH 20V SOT23
制造商: Nexperia USA Inc.
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 7.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 744pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 480mW（Ta），4.17W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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