型号: PMXB360ENEAZ
功能描述: MOSFET 80 V, N-channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-1010D-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 345 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 3.2 S
下降时间: 3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.5 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 9 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
单位重量: 1.200 mg
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